что за фронтами активации начинают распространяться в обе стороны фронты пассивации.
Таким образом, формируются два импульса активации поверх ности струны, которые распространяются в противоположные стороны. Спустя короткое время после начала процесса импульсы становятся стационарными и распространяются _с постоянной скоростью без искажения. Замкнув проволоку в кольцо, можно получать в ней не затухающие в течение нескольких минут колеба ния (сравним с опытом И. А. Ветохина по стимуляции колебаний в кольце из мышцы медузы).
Полупроводниковые модели. Полупроводниковые модели си стем с распространяющимся возбуждением — нейристоры пред назначаются для использования в микроэлектронных ЭВМ. Боль шинство нейристоров основано на использовании N- и S-характе
ристик многослойных твердотельных компонентов. Наибольшее распространение получили S-иейристоры из полураспределеииой тиристорной структуры. Эти системы являются частично мозаич ными вследствие использования дискретных Л?С-цепочек; нейристор выращивается на одном кристалле, в котором методами микро электроники формируются р-п-переходы.
Напомним, что нейристор— это прибор, представляющий собой канал, вдоль которого могут распространяться сигналы аналогично тому, как это происходит в аксоне. Нейристор состоит из источника энергии, накопителя и элемента с отрицательным сопротивлением. В данном случае таким элементом служит тири стор, образованный р-ц-р-л-каналами; на рис. 166, а область,
занятая одним из тиристоров, находится между вертикальными штриховыми линиями. Для того чтобы процесс распространения сигнала сопровождался последующим восстановлением к перво начальному состоянию, нагрузочная линия 2 (рис. 166, б) в исход
ном состоянии должна пересекать в одной точке вольт-амперную характеристику 1 активного элемента.
К. Ф. Комаровских и др. указали три механизма, приводящие
вдвижение область сопротивления от тиристора к тиристору.
1.Включение элемента ведет к повышению концентрации неосновных носителей в его базовых областях. Возникающий
градиент приводит к диффузии неосновных носителей, приводя к увеличению обратного тока коллекторного перехода соседнего элемента и к переходу этого элемента в состояние низкой прово димости.
2. Распределение неосновных носителей вдоль /i-базы, имею щей конечное продольное сопротивление, носит линейный ха рактер при включении одного из элементов. Такое распределение эквивалентно наличию управляющего базового тока, вызываю щего лавинное отпирание соседнего элемента.
3. Шунтирование коллекторного р-/г-перехода закрытого эле мента малым сопротивлением, возникающее вследствие резкого понижения сопротивления сработавшего тиристора, приводит