Файл: Наумов, Б. А. Автомобиль. Учебник водителя второго класса учебник при повышении квалификации водителей автомобилей на второй класс.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 98

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

тируют, т. с. снимают крышку радиатора (см. рис. 17), заменяют

прокладку 2 и вынимают пуяок труб 3. Корпус 4 промывают в дизель­ ном топливе, а пучок труб 3 проваривают в растворе РЗ (1 кГ на 5 л

воды) пли в другом растворе, не разъедающем медь, латунь и олово. После промывки масляный радиатор вымывают горячей водой и про­ дувают сжатым воздухом. В сухом состоянии собирают радиатор и ста­

вят на место.

Регулировка карбюратора К-88 на минимальные обороты. Для

этой регулировки необходимо:

убедиться в исправности приборов зажигания и прогреть двигатель,

полностью открыть воздушную заслонку; остановить двигатель и завернуть оба винта качества до упора,

а затем отвернуть каждый на три оборота;

вновь пустить двигатель и упорным винтом установить минимально

устойчивые обороты;

завертывая один из винтов качества при каждой пробе на 1∕,1 обо­

рота; обеднить смесь до начала явных перебоев;

отвернуть этот же винт на V2 оборота;

проделать такую же операцию со вторым винтом качества; после проделанной регулировки уменьшить число оборотов колен­

чатого вала двигателя, отвертывая понемногу винт упора дросселей;

еще раз попытаться обеднить смесь винтами качества.

Для проверки правильности регулировки карбюратора плавно на­ жать на педаль и сразу резко отпустить, при этом двигатель не должен останавливаться. Если он остановится — прибавить обороты винтом упора (винтом количества).

Пропускную способность жиклеров карбюратора проверяют на стен­

де. Пропускную способность жиклеров определяют количеством воды, проходящей через испытуемый жиклер за 1 мин при давлении водяного столба в 1 м и температуре воды 20° С.

По количеству пропущенной воды через жиклер в 1 мин определя­

ют его исправность, сравнив эти результаты с заводскими данными, ко­ торые должны иметься в каждом цехе обслуживания топливной аппа­ ратуры.

Уровень топлива в поплавковой камера карбюратора К-88А про­

веряют при работе коленчатого вала двигателя на малых оборотах от­ вертыванием пробки контроля уровня. При нахождении глаза на уров­

не контрольного отверстия топливо не должно вытекать из отверстия,

но должно быть видно. Такое положение топлива соответствует

уровню на 18—19 мм ниже верхней плоскости средней части корпуса карбюратора. Уровень в поплавковой камере изменяют количеством прокладок под корпусом игольчатого клапана.

Проверка топливного насоса. Герметичность топливного насоса проверяют наружным осмотром. Для проверки диафрагмы у гермети­

зированных насосов отвертывают контрольную пробку в корпусе на­

соса, при этом вытекание топлива укажет на разрыв диафрагмы. Работу насоса можно проверить без снятия его с двигателя простей­

шим способом: отсоединить трубопровод от штуцера насоса и рычагом ручной подкачки создавать давление. Насос должен бесперебойно

42


давать пульсирующую струю без пены из штуцера насоса. Наличие пены свидетельствует о подсосе воздуха.

Для более точной проверки насоса при работе на малых оборотах коленчатого вала прогретого двигателя отсоединяют трубопровод от’

карбюратора и соединяют трубопровод гибким шлангом с манометром.

Исправный насос на малых оборотах должен создавать давление,

равное 0,15—0,25 кПсм2.

Двигатель во время проверки работает на топливе, имеющемся в по­ плавковой камере карбюратора.

После проверки давления проверяют герметичность клапанов. Для

этого, выключив двигатель, следят по манометру за падением давления. При исправных клапанах насоса за 30 сек падение давления не должно превышать 0,1 кПсм2.

Регулировку привода управления карбюратором (см. рис. 28) на­

чинают с ножного привода. Изменением длины троса 6 при помощи за­ жима 7 необходимо добиться, чтобы при отпущенной педали дроссель закрывался до ограничения винта упора.

Для управления воздушной заслонкой установлен ручной привод.

Кнопка 9 привода на автобусах ЛиАЗ-677 установлена в кабине води­

теля, а на автобусах ЛАЗ — в моторном отсеке. Кроме того, на ЛАЗах в моторном отсеке установлен ручной привод дросселями.

Для регулировки привода воздушной заслонки необходимо изменить

длину троса, идущего от кнопки

10,

так,

чтобы при вдвинутой

кнопке

10

воздушная заслонка была полностью открыта, а при вытянутой кноп­

ке — закрыта.

 

 

нажатой до отказа

педали

 

Недостаточное открытие дросселя при

приводит к снижению мощности двигателя, а неполное закрытие при

опущенной педали вызывает повышенные,обороты и перерасход топ­ лива.

При неполном закрытии воздушной заслонки затрудняется пуск двигателя, а при неполном открытии происходит перерасход топлива.

Глава III. ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕ АВТОБУСОВ

§ 12. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Из сведений об электричестве известно, что химические элементы по проводимости тока делятся на проводники и изоляторы.

Принадлежность вещества к проводнику или изолятору объяс­ няется, согласно теории строения атома, наличием свободных электро­ нов на внешней оболочке вокруг ядра. Если на внешней оболочке вокруг

ядра вращается восемь электронов, то атом такого вещества (например, пеон) идеально стабилен и не вступает в связи с другими атомами, т. е. у него нет свободных электронов и он не является токопроводным.

Все изоляторы имеют такое строение, что на их внешней оболочке ато­ мов или молекул находится восемь или во всяком случае больше четы­

рех электронов. Электроны легко отрываются от своих ядер тогда, ког­

43


да их количество на внешней оболочке меньше половины до стабиль­

ного состояния.

Такое строение имеют все металлы. Золото, серебро, медь имеют

лишь по одному электрону на внешней оболочке; железо, цинк—по два; алюминий, индий •— по три.

Вещества, на внешней оболочке которых находится по четыре элек­

трона, занимают промежуточное место между проводниками и изоля­ торами. Они образуют группу полупроводников.

Так, кремний и германийна внешней оболочке имеют по четыре электрона (рис. 30, а). Основным свойством полупроводников является резкое изменение их токопроводностп под действием температуры пли при наличии незначительных примесей.

Другой особенностью полупроводников является то, что их электро­ проводность связана с перемещением не только отрицательных заря­

дов ■— электронов, но и положительных зарядов.

Свойства полупроводников широко используются в электротехнике.

Полупроводниковые приборы нашли широкое применение и в электро­ оборудовании автомобилей.

Так, в генераторных установках переменного тока применяют полу­

проводниковые выпрямители; в батарейном

зажпг.анпп применяют

транзисторы; в контрольно-измерительных

приборах — термисторы

и т. д.

Поэтому водителю необходимо знать физические свойства полупро­ водников для усвоения работы полупроводниковых приборов.

Рассмотрим строение типичного полупроводника — германия. Германн и, как и другие многие полупроводники, является

элементом четвертой группы периодической системы Менделеева и имеет на внешней оболочке четыре электрона, участвующих в химиче­

ских реакциях н процессах электропроводности (см. рис. 30). Остальные электроны атомов германия тесно связаны с ядром.

Рис. 30. Схема строения атома полупроводника ■германия

44

Каждый атом германия (см. рис. 30, б) стремится образовать связи с четырьмя соседними атомами до получения восьми электронов на внешней оболочке, т. е. до получения полной валентности. При такой связи атом германия образует с соседними атомами общие элек­ тронные пары (ковалентная связь), т. е. каждый атом имеет па внешней оболочке восемь электронов, которые одновременно принадлежат и соседним атомам. Несвязанных свободных электронов германий прак­ тически не имеет. При низких температурах все электроны в кристалле германия прочно связаны с ядром, т. е. кристалл представляет собой изолятор. При повышении температуры полупроводника отдельные электроны открываются от атомов, становятся подвижными. Если такой

кристалл соединить с источником тока, то он становится провод­

ником.

Электропроводимость, осуществляемая свободными электронами,

называется электронной проводимостью полупроводника или проводи­

мостью типа и (от французского слова «негатив» — отрицательный). При отрыве электронов от атома германия в последних образуются свободные места, которые занимают другие электроны. Эти свободные места получили названия дырок. Наличие дырки равноценно положи­ тельному заряду. Схема образования и заполнения дырок условно

показана на рис. 31.

Из этой схемы видно, что шары 1, 2, 3 и 4 (электроны) перемещаются в одном направлении ■— вправо, а отверстия (дырки) — влево. Таким образом, в кристалле, подключенном к источнику тока, происходит не только перемещение электронов, имеющих отрицательный заряд,

но и перемещение дырок — положительных зарядов. Перемещение ды­

рок противоположно направлению движения электронов.

Электропроводность, возникающая в результате перемещения ды­ рок в полупроводнике, называется /?-проводимостыо (от слова позитив— положительный).

Электропроводимость германия и кремния резко возрастает, ког­ да к ним прибавляют ничтожно малые примеси электронов пятой груп­ пы таблицы Менделеева, например: сурьмы, мышьяка, фосфора. Эти элементы имеют на внешней оболочке пять электронов. Четыре элек­ трона входят в связь с четырьмя электронами полупроводника, а пятый остается свободным. Пятивалентная примесь называется донорной, а полупроводник, обогащенный донорной примесью, приобретает-элек­ тронную'проводимость типа п. На рис. 32 изображена схема образова­ ния свободного электрона при введении в кристалл германия ничтож­ ной по количеству примеси фосфора.

Образование свободного электрона за счет донора не связано с обя­ зательным образованием дырки, как это отмечалось-при освобождении электрона из ковалентной связи атомов.

Если .в чистый расплавленный германий или кремний ввести не­ большое количество атомов трехвалентных элементов (индия, алюминия,

гелия, бора и др.), то появится другая проводимость.

На рис. 33 схематично изображено соединение трехвалентного бора

с четырехвалентным кремнием. При тамком соединении до полной ва­

лентной связи на внешней.оболочке не хватает одного электрона. Элек-

,

45


Рис, 31. Схема образования и заполнения дырок

Рис. 32. Схема образования электронной проводимости полупроводника при введе­ нии примеси фосфора в кристалл кремния

Рнс. 33. Схема образования дырочной про­ водимости при введении примеси бора в кристалл кремния

трон соседнего атома может за­

полнить эту связь, при этом образуется дырка там, откуда ушел электрон. Появляется дырочная проводимость. При­ меси, способные создавать

дырки (принимать электроны),

называются акцепторными, а кристалл о такой примесью приобретает дырочную про­ водимость типа р.

Введением примеси можно

во много раз увеличить про­

водимость полупроводника и придать ему резко выра­

женный электронный или дырочный характер.

Если объединить два полу­

проводника типа п и р, то в

месте соединения образуется зона разграничения. Полинин

контакта со стороны полупро­ водника типа р выстроятся

электроны, а со стороны полу­ проводника типа п выстроит­ ся такое же количество дырок

(рис. 34).

Таким образом, на грани­

це двух полупроводников об­ разуется слой, обедненный свободными носителями заря­ дов. Этот слой обладает повы­ шенным сопротивлением и его называют р—«-переходом.

Такая пара полупрбводников

называется диодом.

Если к диоду с р—/!-пере­ ходом подключить источник тока так, чтобы к области

р-проводимости был присоеди­ нен отрицательный полюс ис­ точника, а к области /г-— поло­

жительный полюс (рис. 35), то

под влиянием поля внешнего напряжения электроны и дырки будут отталкиваться в глубь полупроводников. P—71-

переход увеличится, его со­ противление возрастет, и в,

46

цепи полупроводникового ди­

ода электрического тока прак­

тически не будет, т. е.

диод

 

 

 

 

 

станет изолятором.

 

 

 

 

 

 

Изменим полярность источ­

 

 

 

 

 

ника, подключенного к дан­

 

 

 

 

 

ному кристаллу (рис. 36)п. -об-

 

 

 

 

 

Теперь электроны

 

Рис. 34.

Схема

образования

зоны

разгра­

рласти

и дырки p-области бу­

ками различной

проводимости

и п)

дут взаимно

притягиваться,

ничения

(перехода) между

полупроводни­

n-переход сузится,

его

 

 

 

 

 

сопротивление

резко умень-

 

 

 

 

 

шится и создадутся условия для перехода большого количества электри­ чества, носящего название прямого тока.

Свойство полупроводникового диода пропускать ток в одном прямом направлении и задерживать его в обратном направлении используется для преобразования переменного тока в постоянный, Так, на автобу­ сах ЛАЗ-695Е, ЛАЗ-697, ЗИЛ-158В, ЛиАЗ-677 установлены селено­

вые, а на автобусах ПАЗ-672—■ кремниевые2,

выпрямители.

Селеновый диод (рис. 37) представляет собой алюминиевую шайбу /

(пластину), покрытую3.

слоем селена

обладающего дырочной прово­

рдимостью

. На слой селена нанесен в

расплавленном состоянии сплав

олова с кадмием Между селеном и

селенистым кадмием образуется

/i-переход, который

пропускает ток от селена

к сплаву и задер­

живает прохождение тока от сплава к селену.

(т р а н з и с т о-

Полупроводниковые

триоды

р ы). Полупроводниковый триод представляет собой пластинку из крем­ ния или германия, состоящую из трех областей. Две крайние области

всегда обладают одинаковым типом проводимости, а средняя — про­ тивоположной проводимостью. Триоды, у которых средняя область

обладает электронной проводимостью, называются триодами типа

р—п—р\ триоды, у которых средняя область обладает дырочной про­ водимостью—триодами типа п—р—п. Физические процессы, происхо­

дящие в триодах двух типов, аналогичны.

 

I ©«■- ©* л©-

-© - © і

 

 

©-- ©-©-

 

 

 

 

 

I©*

©—

© ©-©-©г

Рве. 35. Схема увеличения запи­

Рис. 36. Схема исчезновения за­

рающего слоя при обратной по­

пирающего слоя

при

прямой про­

лярности

 

водимости

тока

47


Каждая из трех областей триода имеет свое название: нижняя область, испускающая электроны — носители за­ рядов, называется эмиттером Э (рис. 38, й), верхняя область, собирающая

носители зарядов, — коллектором К, а средняя область—основанием или базой Б.

Кэтим трем областям триода делают

-самостоятельные выводы, которые рас­ полагают в линию. Средний вывод сое­ диняют с базой, ближайшей к сред­ нему — с эмиттером, а другой — с кол­

диода

селенового

лектором.

транзисторов на схемах

Схема ■

Обозначение

 

 

принято изображать так, как-показано

на pπc.v38, б.

Вкруге жирной линией обозначена база, тонкая линия со стрелкой обозначает эмиттер, а другая линия, без стрелки, — коллектор.

Если транзистор включить в цепь какого-либо источника, соединив

вывод эмиттера с плюсовой клеммой, а вывод коллектора — с мину­ совой, то тока в цепи не будет, так как один из переходов будет закрыт.

Но если транзистор включить в цепь так, чтобы одна из областей была общей, а между двумя другими создать разность потенциалов, то

потенциальный барьер открывается, сопротивление транзистора падает

'до нуля и на выходном зажиме коллектора получается увеличение тока по мощности.

Транзисторы получают широкое применение в электрооборудовании автомобилей, в частности в контактной и бесконтактной транзистор­ ной системе зажигания.

Вконтактной транзисторной системе зажигания триод 2 (рис. 39) включен в цепь с общей базой.

Вцепь эмиттер •— база — источник тока включены контакты 4 пре­ рывателя. При замкнутых контактах прерывателя в этой цепи проходит

слабый ток около 0,3 а.

Рис. 38. Схема устройства германие­

Рис. 39. Принципиальная схема вклю­

вого транзистора (о) и его условное

чения транзистора в цепь зажига­

обозначение (б)

ния

<8